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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1629-1635 作者:  Wang FF;  Chen JX;  Xu ZC;  Zhou Y;  He L 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20 Dependence of Ion-Implant-Induced LBIC Novel Characteristic on Excitation Intensity for Long-Wavelength HgCdTe-Based Photovoltaic Infrared Detector Pixel Arrays 期刊论文 IEEE J SEL TOP QUANT, 2013, 卷号: 19, 期号: 5 作者:  Wei-DaHu;  Xiao-ShuangChen;  Zhen-HuaYe;  A-LiFeng;  FeiYin 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/11/10 Laserbeaminducedcurrent  Hgcdtelongwave  Infrareddetector  Junctiontransformation  Devicesimulation   Anomalous spin-orbit coupling in high-density two-dimensional electron gas confined in InGaAs/InAlAs quantum well 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 卷号: 152, 期号: 12 作者:  Gao, KH;  Lin, T;  Wei, LM;  Liu, XZ;  Chen, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/03/18 The Dependence of Structural Stability and Tunable Gap on the Si Components of ZnSe/Si Bi-Coaxial Nanowire Heterostructures 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2012, 卷号: 12, 期号: 3 作者:  Xing, HZ;  Zhang, HY;  Huang, Y;  Zhang, L;  Xu, XF 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/03/18 Dependence of dark current and photoresponse characteristics on polarization charge density for GaN-based avalanche photodiodes 期刊论文 J. Phys.D: Appl. Phys., 2011, 卷号: 44, 期号: 40 作者:  Xiaodong Wang;  Weida Hu;  Xiaoshuang Chen 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/10/23