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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [12]
会议论文 [1]
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2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2003 [2]
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Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a mn-doped gaas base
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 5
作者:
Shen, C.
;
Wang, L. G.
;
Zheng, H. Z.
;
Zhu, H.
;
Chen, L.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:
Wang LG
;
Chen L
;
Zhu H
收藏
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浏览/下载:43/5
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提交时间:2011/07/05
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Chemical etching of a GaSb crystal incorporated with Mn grown by the Bridgman method under microgravity conditions
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 47-51
Chen Xiaofeng
;
Chen Nuofu
;
Wu Jinliang
;
Zhang Xiulan
;
Chai Chunlin
;
Yu Yude
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
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浏览/下载:217/56
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Observations on subband electron properties in in0.65ga0.35as/in0.52al0.48as mm-hemt with si delta-doped on the barriers
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
作者:
Zhou Wen-Zheng
;
Lin Tie
;
Shang Li-Yan
;
Huang Zhi-Ming
;
Zhu Bo
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Sdh oscillation
Two-dimensional electron gas
Fft analysis
Self-consistently calculation
Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si delta-doped on the barriers
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng)
;
Lin T (Lin Tie)
;
Shang LY (Shang Li-Yan)
;
Huang ZM (Huang Zhi-Ming)
;
Zhu B (Zhu Bo)
;
Cui LJ (Cui Li-Jie)
;
Gao HL (Gao Hong-Ling)
;
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Guo SL (Guo Shao-Ling)
;
Gui YS (Gui Yong-Sheng)
;
Chu JH (Chu Jun-Hao)
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浏览/下载:139/0
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提交时间:2010/03/29
SdH oscillation
Structure characteristics of ingan quantum dots fabricated by passivation and low temperature method
期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25
作者:
Qu, BZ
;
Chen, Z
;
Lu, DC
;
Han, P
;
Liu, XG
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Nanostructures
Metalorganic chemical vapor deposition
Nitrides
Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25
Qu BZ
;
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XG
;
Wang XH
;
Wang D
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SIZE DISTRIBUTION
GROWTH
GAAS
DEPENDENCE
EMISSION
NUMBER
Static and dynamic electric field domain formation in a doped gaas/alas superlattice
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 141-145
作者:
Wang, JN
;
Sun, BQ
;
Wang, XR
;
Wang, YQ
;
Ge, WK
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Superlattices
Gaas/alas
Electric field domains
Tunnelling
Static and dynamic electric field domain formation in a doped GaAs/AlAs superlattice
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 141-145
作者:
Wang HL
;
Wang HL
;
Jiang DS
;
Wang HL
收藏
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浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/08/12
superlattices
GaAs/AlAs
electric field domains
tunnelling
OSCILLATIONS
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