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半导体研究所 [220]
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Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Zhao, Jie
;
Zeng, Yiping
;
Yang, Qiumin
;
Li, Yiyang
;
Cui, Lijie
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Reflection high-energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Cadmium compounds
Semiconducting ii-vi materials
Growth and annealing of zinc-blende cdse thin films on gaas (001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043
作者:
Yang, Qiumin
;
Zhao, Jie
;
Guan, Min
;
Liu, Chao
;
Cui, Lijie
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Cdse
Molecular beam epitaxy
Reflection high energy electron diffraction
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
收藏
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
收藏
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浏览/下载:105/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:61/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM WIRES
SEMICONDUCTORS
FERROMAGNETISM
FIELD
GAMNN
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
收藏
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Wurtzite to zincblende transition of InN films on(011) SrTiO3 by decreasing trimethylindium flows
期刊论文
applied physics a: materials science and processing, 2011, 页码: 1-5
Jia, C.H.
;
Chen, Y.H.
;
Zhang, B.
;
Liu, X.L.
;
Yang, S.Y.
;
Zhang, W.F.
;
Wang, Z.G.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/06/14
Absorption
Absorption spectroscopy
Crystal atomic structure
Epitaxial growth
Metallorganic chemical vapor deposition
Optical properties
Organic chemicals
Strontium alloys
Strontium titanates
X ray diffraction
Zinc sulfide
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
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