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新疆理化技术研究所 [24]
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学位论文 [5]
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2022 [1]
2018 [2]
2017 [1]
2016 [2]
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Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050
作者:
Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]
;
Li, YD (Li, Yudong) [1]
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2022/06/21
SRAM cells
Radiation effects
Arrays
Stability criteria
Circuit stability
Voltage measurement
Logic gates
Stability
static random-access memory (SRAM) cell
total ionizing dose (TID)
Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2018, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1-5
作者:
Zhang, XY (Zhang, Xing-Yao)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Li, YD (Li, Yu-Dong)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhang, XY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/08/07
Magnetoresistive Random-access Memory Total Ionizing Dose
Synergistic Effect
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CF (He, Chengfa)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2018/05/15
Static Noise Margin (Snm)
Static Random Access Memory (Sram)
Total Ionizing Dose (Tid)
Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Liu, MX (Liu, Mengxin)
;
Su, DD (Su, Dandan)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2017/12/05
Silicon-on-insulator
Total Ionizing Dose
Static Random Access Memory
Static Noise Margin
Reshaping CuO on silica to generate a highly active Cu/SiO2 catalyst
期刊论文
CATALYSIS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 6311-6319
作者:
Hou, XN (Hou, Xiaoning)
;
Qing, SJ (Qing, Shaojun)
;
Liu, YJ (Liu, Yajie)
;
Xi, HJ (Xi, Hongjuan)
;
Wang, TF (Wang, Tianfu)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2016/12/13
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
作者:
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Wang, HN (Wang Han-Ning)
;
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Yu, DZ (Yu De-Zhao)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/12/12
total ionizing dose effects
deep sub-micron
metal oxide semiconductor field effect transistor
static random access memory
锂离子电池LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料的制备及低温性能的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
谭双媛
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浏览/下载:248/0
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提交时间:2015/06/15
锂电池
低温性能
倍率性能
包覆改性
共沉淀法
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射损伤机理及评估方法研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
丛忠超
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2014/09/02
SRAM
测试系统
辐照偏置
静态功耗电流
失效模式
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:
张兴尧
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浏览/下载:89/0
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提交时间:2014/08/05
新型非易失存储器
传统非易失存储器
总剂量效应
辐射敏感参数
Online and offline test method of total dose radiation damage on static random access memory
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 8
作者:
Cong, Zhong-Chao
;
Yu, Xue-Feng
;
Cui, Jiang-Wei
;
Zheng, Qi-Wen
;
Guo, Qi
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/11/11
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static random access memory
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