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新疆理化技术研究所 [13]
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期刊论文 [8]
学位论文 [5]
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2018 [2]
2015 [2]
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专题:新疆理化技术研究所
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Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/11/20
Sige Hbt
Synergistic Effect
Single Event Effects
Total Ionizing Dose
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
作者:
Ma, T (Ma, Teng)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2018/03/14
Reliability
Proton Irradiation
Radiation Induced Leakage Current (Rilc)
Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)
Total Ionizing Does (Tid)
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
李培
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2015/06/15
不同结构SiGe HBT
单粒子效应
三维数值模拟仿真
激光微束试验
伪集电极加固
Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 8
作者:
Li, P (Li Pei)
;
Guo, HX (Guo Hong-Xia)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
;
Xiao, Y (Xiao Yao)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/09/14
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
three-dimensional numerical simulation
laser microbeam experiment
PNP输入双极运算放大器的辐射效应
期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 229-233
作者:
许发月
;
陆妩
;
王义元
;
席善斌
;
李明
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/11/29
PNP输入双极运算放大器
低剂量率
偏置
60Coγ辐照
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-512
作者:
李明
;
余学峰
;
许发月
;
李茂顺
;
高博
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/11/29
Degradation
Radiation damage
Static random access storage
双极运算放大器ELDRS效应及加速评估方法的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
许发月
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2016/05/24
双极运算放大器
低剂量率辐射损伤增强效应
加速评估方法
60Coγ辐照
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李茂顺
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/05/26
SRAM
总剂量辐射效应
敏感参数
偏置条件
剂量率
电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应
期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
作者:
李鹏伟
;
郭旗
;
任迪远
;
于跃
;
兰博
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/11/29
商用CCD
氧化物电荷
界面态
退火效应
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
期刊论文
强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2724-2728
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
王义元
;
李豫东
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/11/29
SRAM型FPGA
60Coγ
总剂量辐射损伤效应
退火效应
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