电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应

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	电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应
	李鹏伟; 郭旗; 任迪远; 于跃; 兰博; 李茂顺
刊名	原子能科学技术
	2010
卷号	44 期号:5 页码:603-607
关键词	商用CCD 氧化物电荷界面态退火效应
ISSN号	10006931
其他题名	annealing effects of charge coupled devices after ~(60)cogammairradiation
中文摘要	基于60Coγ射线辐照后的商用电荷耦合器件(CCD),对室温退火和100℃高温退火实验进行研究。考察了CCD的功耗电流、输出信号电压波形及光响应灵敏度等参数的变化。结果表明,CCD辐照过程中产生的氧化物电荷和界面态导致了CCD参数在室温和高温退火中的不同表现。
英文摘要	Annealing experiment of commercial charge coupled devices (CCD) irradiated by gamma rays was carried out at room temperature and 100 °C. Power currents, output signal voltage and optical response sensitivity of CCD were investigated during experiment. The result shows that oxide charges and interface traps result in different behaviors of CCD's parameter during room temperature and 100 °C annealing.
学科主题	Engineering (provided by Thomson Reuters)
收录类别	CSCD
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1719]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院
推荐引用方式 GB/T 7714	李鹏伟,郭旗,任迪远,等. 电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应[J]. 原子能科学技术,2010,44(5):603-607.
APA	李鹏伟,郭旗,任迪远,于跃,兰博,&李茂顺.(2010).电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应.原子能科学技术,44(5),603-607.
MLA	李鹏伟,et al."电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应".原子能科学技术 44.5(2010):603-607.