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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：光电技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Accurate determination of electronic transport properties of silicon wafers by nonlinear photocarrier radiometry with multiple pump beam sizes 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 118, 期号: 21 作者:  Wang, Qian;  Li, Bincheng 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/06/27 Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers 期刊论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050 作者:  Ren, Shengdong;  Li, Bincheng;  Wang, Qian 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/09/21 Carrier effective lifetime  Photocarrier radiometry  Silicon  Thermal annealing   Phase structure and electrical properties of xPZN-(1-x)PZT piezoceramics near the tetragonal/rhombohedral phase boundary 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2015, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 4822-4828 作者:  Li, Hai-Long;  Zhang, Ying;  Zhou, Jia-Jun;  Zhang, Xiao-Wen;  Liu, Hong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/07/10 Piezoelectric properties  Perovskites  PZT   Accurate determination of electronic transport properties of silicon wafers by nonlinear photocarrier radiometry with multiple pump beam sizes 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 118, 期号: 21, 页码: 215707 作者:  Wang, Qian;  Li, Bincheng 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/11/21 Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers 期刊论文 International Journal of Thermophysics, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050 作者:  Ren, Shengdong;  Li, Bincheng;  Wang, Qian 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/11/21 Phase structure and electrical properties of xPZN-(1-x)PZT piezoceramics near the tetragonal/rhombohedral phase boundary 期刊论文 Ceramics International, 2015, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 4822-4828 作者:  Li, Hai-Long;  Zhang, Ying;  Zhou, Jia-Jun;  Zhang, Xiao-Wen;  Liu, Hong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/11/15 Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Li, Yanyue;  Deng, Xiaochuan;  Liu, Yunfeng;  Zhao, Yanli;  Li, Chengzhan 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/11/03