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Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps 专利
专利号: WO2012125997A3, 申请日期: 2013-01-03, 公开日期: 2013-01-03
作者:  JOHNSON, RALPH, H.;  TATUM, JIMMY, ALAN;  MACINNES, ANDREW, N.;  WADE, JEROME, K.;  GRAHAM, LUKE, A.
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Systems and methods for biosensing and microresonator sensors for same 专利
专利号: US7257279, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
作者:  GUO, CHUNMEI;  FAN, XUDONG
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Use of GaAs extended barrier layers between active regions containing nitrogen and AlGaAs confining layers 专利
专利号: US7167495, 申请日期: 2007-01-23, 公开日期: 2007-01-23
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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Current blocking structure to improve semiconductor laser performance 专利
专利号: US20030086462A1, 申请日期: 2003-05-08, 公开日期: 2003-05-08
作者:  CHAN, YUEN CHUEN;  ONG, TEIK KOOI;  LAM, YEE LOY
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Long, high-power semiconductor laser with shifted-wave and passivated output facet 专利
专利号: US6519272, 申请日期: 2003-02-11, 公开日期: 2003-02-11
作者:  BALIGA, ARVIND;  FLANDERS, DALE C.;  SALVATORE, RANDAL
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Manufacture of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1992305990A, 申请日期: 1992-10-28, 公开日期: 1992-10-28
作者:  TAKAMORI TAKESHI;  FUKUNAGA TOSHIAKI;  WATANABE KENJI
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- 专利
专利号: JP1987048916B2, 申请日期: 1987-10-16, 公开日期: 1987-10-16
作者:  MITO IKUO
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Trap doped laser combined with photodetector 专利
专利号: US4300107, 申请日期: 1981-11-10, 公开日期: 1981-11-10
作者:  COPELAND, III, JOHN A.
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Method of growing a doped III-V alloy layer by molecular beam epitaxy and a semiconductor device comprising a semiconductor substrate bearing an epitaxial layer of a doped III-V alloy grown by such a method 专利
专利号: EP0031180A2, 申请日期: 1981-07-01, 公开日期: 1981-07-01
作者:  ROBERTS, JOHN STUART
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Mode stabilized semiconductor laser 专利
专利号: WO1981001221A1, 申请日期: 1981-04-30, 公开日期: 1981-04-30
作者:  COPELAND J
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