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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
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2005 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Energy Levels of Hydrogenic Impurities in InAs Quantum Ring
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2009, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 607-610
Zheng WL
;
Li ZW
;
Wang XF
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浏览/下载:221/51
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提交时间:2010/03/08
Effective mass
Binding energies
Perturbation method
Quantum ring
Electronic structure in GaAs/AlxGa1-xAs spherical quantum dots
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 2, 页码: 1091-1096
Wang, CD
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浏览/下载:32/1
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提交时间:2010/03/08
spherical quantum dot
analytical method
plane wave method
effective mass
Anisotropic Zeeman splitting and Stark shift of In1-yMnyAs1-xNx oblate quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 9, 页码: art.no.093708
Zhang XW
;
Fan WJ
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/03/29
EFFECTIVE-MASS
Electronic structures of GaAs/AlxGa1-xAs quantum double
期刊论文
nanoscale research letters, 2006, 卷号: 1, 期号: 2, 页码: 167-171
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/04/11
electronic structures
GaAs
quantum double rings
nanostructures
effective-mass theory
band mixing
Origin and elimination of spurious solutions of the eight-band k center dot p theory
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 23, 页码: art.no.233309
Yang W
;
Chang K
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浏览/下载:435/7
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提交时间:2010/04/11
ENVELOPE-FUNCTION APPROXIMATION
EFFECTIVE-MASS APPROXIMATION
SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
ELECTRONIC-STRUCTURE
SUPERLATTICES
NANOSTRUCTURES
Electronic structure of coupled vertically stacked self-assembled InAs quantum disks in a vertical electric field
期刊论文
superlattices and microstructures, 2003, 卷号: 33, 期号: 1-2, 页码: 29-40
Liu JL
;
Li SS
;
Niu ZC
;
Yang FH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:766/13
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提交时间:2010/08/12
effective-mass approximation
adiabatic approximation
quantum disks
stark effect
splitting
DOTS
EXCITON
Valence band structures of the InAs/GaAs quantum ring
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 5, 页码: 3227-3231
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:96/7
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提交时间:2010/08/12
EFFECTIVE-MASS THEORY
DOTS
Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597
Tsang MS
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Y
;
Han HX
;
Li LH
;
Pan Z
收藏
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浏览/下载:98/11
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提交时间:2010/08/12
GAINNAS ALLOYS
BAND-STRUCTURE
GAAS
NITROGEN
GAN(X)AS1-X
IMPURITIES
BEHAVIOR
MASS
Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328
Liao MY
;
Qin FG
;
Chai CL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Yao ZY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:127/13
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提交时间:2010/08/12
amorphous carbon
surface morphology
mass-selected low energy ion beam deposition
TETRAHEDRAL AMORPHOUS-CARBON
BIAS-ENHANCED NUCLEATION
ATOMIC-FORCE MICROSCOPY
DIAMOND-LIKE CARBON
SILICON
GROWTH
MODEL
Quantum-confined Stark effects of InAs/GaAs self-assembled quantum dot
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: 7171-7174
Li SS
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
EFFECTIVE-MASS THEORY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
ISLANDS
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