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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [3]
发表日期
2007 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2000 [2]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113
Zou JJ (Zou Ji-Jun)
;
Chang BK (Chang Ben-Kang)
;
Yang Z (Yang Zhi)
;
Gao P (Gao Pin)
;
Qiao JL (Qiao Jian-Liang)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Pine)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/03/29
GaAs photocathode
High-resolution X-ray diffraction analysis of the Bragg peak integrated intensity in highly mismatched III-N epilayers
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 354-358
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
BUFFER LAYER
GAN
GROWTH
Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
epitaxial lateral overgrowth
crystallographic tilt
double crystal X-ray diffraction
FILMS
DEFECTS
GAAS
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
Raman study on residual strains in thin 3C-SiC epitaxial layers grown on Si(001)
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Zhu JJ
;
Liu SY
;
Liang JW
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
Raman spectrum
thin film
chemical vapor deposition
SCATTERING
SI
Raman study on residual strains in thin 3C-SiC epitaxial layers grown on Si(001)
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 307-311
Zhu JJ
;
Liu SY
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
Raman spectrum
thin film
chemical vapor deposition
SCATTERING
SI
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx
会议论文
symposium e on luminescent materials at the 1999 mrs spring meeting, san francisco, ca, apr 05-08, 1999
Chen WD
;
Liang JJ
;
Hsu CC
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/10/29
Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix
会议论文
6th international conference on the formation of semiconductor interfaces (icfsi-6), cardiff, wales, jun 23-27, 1997
作者:
Xu B
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/15
ZNSE/GAAS INTERFACE
STATES
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