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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [10]
会议论文 [5]
发表日期
2008 [3]
2007 [1]
2006 [7]
2000 [2]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
光电子学 [15]
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学科主题:光电子学
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The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yang, H
;
Chen, Y
;
Wang, LB
;
Yi, XY
;
Fan, JM
;
Liu, ZQ
;
Yang, FH
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/09
GaN-based LED
grinding
ray tracing
Development of solar-blind AlGaN 128x128 ultraviolet focal plane arrays
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2008, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 820-826
Yuan, YG
;
Zhang, Y
;
Chu, KH
;
Li, XY
;
Zhao, DG
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:39/4
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提交时间:2010/03/08
AlGaN
photodiode
ultraviolet FPA
solar-blind
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Li, Y
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Guo, JX
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
LED
plasma
damage
etch
ICP
PECVD
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8706-8709
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/04/11
oxidation
AlGaN
surface morphology
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
HIGH-POWER
GAN
OXIDE
Passively Q-switched and mode-locked diode-pumped Nd : YVO4 laser with LT-GaAs output coupler
期刊论文
optics communications, 2006, 卷号: 261, 期号: 2, 页码: 332-335
Liu J
;
Wang YG
;
Yang JM
;
He JL
;
Ma XY
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/04/11
LT-GaAs
Nd : YVO4
QML
CUT ND-GDVO4 LASER
SATURABLE ABSORBER
LOCKING
CR4+-YAG
YAG
The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers
期刊论文
materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2010/04/11
AlGaN
LT AlN
TAXRD
dislocation
Passively mode-locked Nd : YVO4 laser using semiconductor saturable absorption mirrors of interface states relaxation region
期刊论文
optik, 2006, 卷号: 117, 期号: 10, 页码: 474-476
Wang YG (Wang YongGang)
;
Ma XY (Ma XiaoYu)
;
Liu Y (Liu Yang)
;
Sun LQ (Sun LiQun)
;
Tian Q (Tian Qian)
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/04/11
SESAM
mode lock
interface
ABSORBER
GAAS
Parasitic reaction and its effect on the growth rate of AlN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 72-75
作者:
Jiang DS
;
Li XY
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:95/0
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提交时间:2010/04/11
growth rate
parasitic reaction
MOCVD
AlN
GAS-PHASE REACTIONS
MOVPE GROWTH
ALGAN MOVPE
ALXGA1-XN
Effect of Al incorporation on the AlGaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/29
Al incorporation
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