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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：Materials Science, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of adsorption-controlled growth windows of chalcogenide perovskites 期刊论文 MRS COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 145, 151 作者:  Filippone, Stephen A.;  Sun, Yi-Yang;  Jaramillo, R. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/12/28 Effects of oxygen on the properties of titania nanoparticles prepared by MOCVD 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2002, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1343-1346 Sun, YJ; Li, AZ; Qi, M; Zhang, LY; Yao, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN BUFFER LAYER  AEROSOL-PARTICLES  PHASE HYDROLYSIS  THERMOPHORESIS  DECOMPOSITION  SUBSTRATE  MECHANISM  ALKOXIDE  POWDER   Effect of annealing on SiC thin films prepared by pulsed laser deposition 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 1999, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 2099-2102 Huang, JP; Wang, LW; Wen, J; Wang, YX; Lin, CL; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC SILICON-CARBIDE  EPITAXIAL-GROWTH  TEMPERATURE  ABLATION  DEVICES   Growth of SiC thin films on (100) and (111) silicon by pulsed laser deposition combined with a vacuum annealing process 期刊论文 WIDE-BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR HIGH-POWER, HIGH-FREQUENCY AND HIGH-TEMPERATURE APPLICATIONS-1999, 1999, 卷号: 572, 页码: 207-212 Huang, JP; Wang, LW; Wen, U; Wang, YX; Lin, CL; Zetterling, CM; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CARBIDE  TEMPERATURE  DEVICES   Structural and optical properties of GaN layers directly grown on 6H-SiC(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2, 1998, 卷号: 264-2, 页码: 1235-1238 Yang, B; Brandt, O; Zhang, YG(张永刚）; Li, AZ; Jenichen, B; Paris, G; Ploog, KH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25