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半导体研究所 [8]

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半导体物理 [8]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	Strong up-conversion emissions in ZnO:Er3+, ZnO:Er3+-Yb3+ nanoparticles and their surface modified counterparts 期刊论文 journal of colloid and interface science, 2011, 卷号: 358, 期号: 2, 页码: 334-337 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：54/5 \| 提交时间：2011/07/05 Sol-gel ZnO:Er-Yb nanoparticles Up-conversion Core/shell Three-photon processes NANOCRYSTALLINE YTTRIA OPTICAL SPECTROSCOPY GLASSES LUMINESCENCE TEMPERATURE ER3+ YB3+ GREEN FILMS OXIDE
	Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402 Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：34/2 \| 提交时间：2011/07/05 FUNDAMENTAL-BAND GAP INDIUM NITRIDE BUFFER LAYER DEPENDENCE SAPPHIRE MOCVD
	Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123 Dou, XM; Sun, BQ; Wang, BR; Ma, SS; Zhou, R; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏 \| 浏览/下载：50/2 \| 提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION GAAS PRESSURE DEPENDENCE AMPLIFIERS ELECTRON EMISSION EXCITONS PHOTONS SPECTRA
	Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107 Wang, BR; Sun, BQ; Ji, Y; Dou, XM; Xu, ZY; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏 \| 浏览/下载：104/2 \| 提交时间：2010/03/08 LOCALIZED STATES ISLANDS WIRES SUPERLATTICES ORGANIZATION GAAS(100) EXCITONS GROWTH DECAY GAAS
	Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor magnetic p-n junction ion beam epitaxy gadolinium silicides METAL-INSULATOR-TRANSITION P-N-JUNCTION INDUCED FERROMAGNETISM SI/SIER INTERFACE BEAM EPITAXY SEMICONDUCTORS EXCITATION MAGNETORESISTANCE ALLOYS
	Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者: Han PD 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering GaN mobility MOCVD N-TYPE GAN NITRIDE FILMS
	Nitrogen vacancy scattering in n-GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1594-1596 Zhu QS; Sawaki N 收藏 \| 浏览/下载：54/0 \| 提交时间：2010/08/12 LAYER
	Cyclotron resonance mass of magnetopolaron in a polar crystal slab at finite temperatures 期刊论文 physica b-condensed matter, 1999, 卷号: 271, 期号: 1-4, 页码: 256-264 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：68/0 \| 提交时间：2010/08/12 magnetopolaron cyclotron resonance finite temperatures phonons QUANTUM-WELL 2 DIMENSIONS DEPENDENCE PHONON HETEROSTRUCTURE SPECTRUM ENERGY ARBITRARY MAGNETIC-FIELD

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