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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
发表日期
2014 [1]
2011 [2]
2009 [1]
2008 [2]
2006 [1]
2004 [1]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
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Insight into the photoelectron angular dependent energy distribution of negative-electron-affinity InP photocathodes
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 2, 页码: 021120
Chen, ZH
;
Jiang, XW
;
Dong, S
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Wang, LW
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2015/03/25
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Two-phonon processes of intraband relaxation in the terahertz regime in quantum dots
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2011, 卷号: 23, 期号: 22, 页码: article no.225303
Wang ZW
;
Li SS
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2011/07/05
Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 25, 页码: art. no. 252905
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
high-k dielectric thin films
MOS capacitors
work function
Spin-dependent current noises in transport through coupled quantum dots
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 34, 页码: art. no. 345215
Luo, JY
;
Li, XQ
;
Yan, YJ
收藏
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浏览/下载:67/2
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提交时间:2010/03/08
SHOT-NOISE
OPEN-SYSTEMS
First-principles study of transition metal impurities in Si
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201
Zhang ZZ
;
Partoens B
;
Chang K
;
Peeters FM
收藏
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浏览/下载:61/7
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提交时间:2010/03/08
SILICON
Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study
期刊论文
physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205
Tan PH (Tan P. H.)
;
Luo XD (Luo X. D.)
;
Xu ZY (Xu Z. Y.)
;
Zhang Y (Zhang Y.)
;
Mascarenhas A (Mascarenhas A.)
;
Xin HP (Xin H. P.)
;
Tu CW (Tu C. W.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/04/11
HOT PHOTOLUMINESCENCE
GALLIUM-ARSENIDE
GAAS
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SCATTERING
Photoluminescence characteristics of GaAsSbN/GaAs epilayers lattice-matched to GaAs substrates
期刊论文
solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 707-711
作者:
Tan PH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:159/55
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提交时间:2010/03/09
GaAsSbN epilayer
Violet/blue emission from hydrogenated amorphous carbon films deposited from energetic CH3+ ions and ion bombardment
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1891-1893
Liao MY
;
Feng ZH
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:86/5
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提交时间:2010/08/12
DIAMOND-LIKE
GROWTH
LUMINESCENCE
PLASMA
New insight into the origin of twin and grain boundary in InP
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406
Han Y
;
Lin L
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
synchrotron radiation
LEC GROWTH
CZOCHRALSKI
SINGLE-CRYSTALS
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