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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Selective-area MOCVD growth for distributed feedback lasers integrated with vertically tapered self-aligned waveguide 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 583-587 Qiu WB; Wang W; Dong J; Zhou F; Zhang JY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 self-alignment  spotsize converter  tapered waveguide  selective area growth  distributed feeback lasers   Uniformity enhancement of the self-organized InAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 372-375 Zhu HJ; Wang ZM; Wang H; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES   JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 SILICON