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科研机构
半导体研究所 [7]
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期刊论文 [3]
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2010 [1]
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2006 [1]
2002 [1]
2001 [1]
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学科主题
光电子学 [7]
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学科主题:光电子学
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Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:72/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability
会议论文
conference on semiconductor lasers and applications iv, beijing, peoples r china, oct 18-19, 2010
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
收藏
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浏览/下载:53/4
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提交时间:2011/07/14
Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402
会议论文
conference on semiconductor lasers and applications iii, beijing, peoples r china, nov 12-13, 2007
Ma, XY
;
Zhong, L
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
laser diodes
laser bar
stacks
high power
power conversion efficiency
reliability
packaging
Growth of near planar Si0.5Ge0.5 epitaxial layers directly on Si substrate by UHV/CVD at 500℃
期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 5-9
作者:
ZHAO Lei
;
Zuo Yuhua
;
Cheng Buwen
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Thermally Stable Guest-Host Polyetherketone Poled Polymer for Electro-Optical Applications
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1125-1127
Pan Qiwei
;
Fang Changshui
;
Qin Zhihui
;
Gu Qingtian
;
Wu Xiangwen
;
Shi We
;
Yu Jinzhong
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001
Zhang W
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang RK
;
Lin YW
;
Wu RG
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/10/29
GaInNAs
photodetector
resonant cavity enhanced
high speed property
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SCHOTTKY PHOTODIODES
PERFORMANCE
EFFICIENCY
OPERATION
BANDWIDTH
DESIGN
SI
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes
会议论文
4th conference on light-emitting diodes (leds), san jose, ca, jan 26-27, 2000
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
native oxided AlAs
current blocking layer
AlGaInP
high brightness light emitting diodes
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