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| Photoluminescence and capacitance transients in highly Mg-doped GaN 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444
Lu L; Yang CL; Yan H; Yang H; Wang Z; Wang J; Ge W
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| Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix 会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Chen WD; Wang YQ; Chen CY; Diao HW; Liao XB; Kong GL; Hsu CC
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| Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400
作者: Xu B ; Ye XL
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| The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者: Jiang DS
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| Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials 期刊论文
chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 1233-1242
Peng YC; Zhao XW; Fu GS
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| GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394
Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY
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| Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者: Han PD
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| A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者: Li CM; Xu B; Jin P; Ye XL
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| Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308
作者: Xu B; Li CM; Jin P; Ye XL; Li DB
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| Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者: Zhang SM; Zhao DG
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