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Method for producing II-VI compound semiconductor epitaxial layers having low defects 专利
专利号: US6001669, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
作者:  GAINES, JAMES MATTHEW;  PETRUZZELLO, JOHN
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Epitaxial wafer and manufacturing method thereof as well as light-emitting diode with enhanced luminance 专利
专利号: US5965908, 申请日期: 1999-10-12, 公开日期: 1999-10-12
作者:  SHIBATA, YUKIYA;  MIZUNIWA, SEIJI;  TOYOSHIMA, TOSHIYA
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Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors 专利
专利号: US5963568, 申请日期: 1999-10-05, 公开日期: 1999-10-05
作者:  PAOLI, THOMAS L.
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Effect of si doping on cubic gan films grown on gaas(100) 期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:  Xu, DP;  Yang, H;  Li, JB;  Li, SF;  Wang, YT
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High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an al-free ingaas-ingaasp active region and algaas cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
Ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
作者:  Yang, GW;  Hwu, RJ;  Xu, ZT;  Ma, XY
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Epitaxial growth of bi2sr2-xlaxcu1o6+delta thin films on vicinal srtio3 substrates 期刊论文
Physica c, 1999, 卷号: 322, 期号: 1-2, 页码: 73-78
作者:  Zhang, YZ;  Qin, YL;  Deltour, R;  Tao, HJ;  Li, L
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Method of making distributed feedback laser having spatial variation of grating coupling along laser cavity length 专利
专利号: US5943554, 申请日期: 1999-08-24, 公开日期: 1999-08-24
作者:  DAUTREMONT-SMITH, WILLIAM CROSSLEY;  HAYES, TODD ROBERT
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量子井戸構造をもつ半導体装置 专利
专利号: JP2964161B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-18
作者:  杉山 芳弘;  北田 秀樹
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半導体レーザの製法 专利
专利号: JP2949809B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
作者:  成井 啓修;  平田 照二
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The growth of sic on si substrates with c2h4 and si2h6 期刊论文
Applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Lin, LY;  Zhang, FF
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