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半導体発光装置 专利
专利号: JP1994097708B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  菅原 充
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光装置 专利
专利号: JP1994097707B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  菅原 充
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1994097706B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  山口 昭夫
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β-BaB2O4的水热研究及模拟微重力条件下α-SiO2的水热生长 学位论文
博士: 中国科学院物理研究所, 1994
钱志强
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埋め込みヘテロ構造半導体デバイスの製作方法 专利
专利号: JP1994093527B2, 申请日期: 1994-11-16, 公开日期: 1994-11-16
作者:  ロナルド·ジヤ-ル·ネルソン;  ランダル·ブリアン·ウイルソン
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
光半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP1994314657A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:  黒田 尚孝
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
STUDIES OF DEFECT STATES IN THE INTERFACE BETWEEN SIO2 AND A-SIH FILMS 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 1994, 卷号: 251, 期号: 2, 页码: 96-98
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收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25
半導体レーザーの製造方法 专利
专利号: JP1994082883B2, 申请日期: 1994-10-19, 公开日期: 1994-10-19
作者:  杉本 満則
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18
Selective growth of InP in device fabrication 专利
专利号: GB2253304B, 申请日期: 1994-10-05, 公开日期: 1994-10-05
作者:  ROBERT, FRANK, KARLICEK;  ROBERT, FRANK, KARLICEK, JR
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1994268317A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22
作者:  石橋 明彦;  木戸口 勳;  大田 啓之;  大仲 清司
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13

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