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Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载：25/0
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提交时间：2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究
期刊论文
《航天器环境工程》, 2018, 卷号: 35, 页码: 462-467
作者:
余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1]
;
王小强[1] 冯发明[2]
;
费武雄[1]
收藏
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2019/04/22
单粒子效应 大容量SRAM
抗辐射加固 Bulk
CMOS工艺 SOI
CMOS工艺 重离子射程
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究
学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
刘丽
收藏
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浏览/下载：213/0
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提交时间：2015/09/02
绝缘体上硅
KFZ加固
单粒子翻转
静态随机存储器
silcon-on-insulator(SOI)
radiation hardness
sigle event upset(SEU)
static random access memory(SRAM)
Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM
期刊论文
SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2013, 卷号: 56, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 780-785
作者:
Tang Du
;
Li YongHong
;
Zhang GuoHe
;
He ChaoHui
;
Fan YunYun
收藏
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2019/12/03
SOI FinFET SRAM
single event upset sensitivity
FDSOI SRAM
Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices
会议论文
作者:
Liu, Tianqi
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhangang
;
Zhao, Fazhan
;
Hou, Mingdong
收藏
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浏览/下载：29/0
|
提交时间：2018/08/20
Single event upset
temperature dependence
energy deposition
Monte Carlo simulation
SRAM
heavy ions
bulk and SOI technologies
Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices
会议论文
作者:
Liu, Jie
;
Sun, Youmei
;
Tong, Teng
;
Zhao, Fazhan
;
Zhang, Zhangang
收藏
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浏览/下载：14/0
|
提交时间：2018/08/20
Single event upset
temperature dependence
energy deposition
Monte Carlo simulation
SRAM
heavy ions
bulk and SOI technologies
SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李明
收藏
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浏览/下载：25/0
|
提交时间：2016/05/24
SOI
SRAM
总剂量辐射效应
评估技术
实验方法
SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李明
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2016/05/24
Soi
Sram
总剂量辐射效应
评估技术
实验方法
Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86
作者:
Li Yonghong
;
He Chaohui
;
Zhao Fazhan
;
Guo Tianlei
;
Liu Gang
收藏
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浏览/下载：17/0
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提交时间：2010/10/29
SOI SRAM
Single event upset
Single event upset rate
Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86
作者:
Li Yonghong
;
He Chaohui
;
Zhao Fazhan
;
Guo Tianlei
;
Liu Gang
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2019/12/18
SOI SRAM
Single event upset rate
Single event upset
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