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	Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM
	Tang Du; Li YongHong; Zhang GuoHe; He ChaoHui; Fan YunYun
刊名	SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES
	2013
卷号	56期号:[db:dc_citation_issue]页码:780-785
关键词	SOI FinFET SRAM single event upset sensitivity FDSOI SRAM
ISSN号	1674-7321
DOI	[db:dc_identifier_doi]
URL标识	查看原文
WOS记录号	[DB:DC_IDENTIFIER_WOSID]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3306694
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Tang Du,Li YongHong,Zhang GuoHe,et al. Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM[J]. SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES,2013,56([db:dc_citation_issue]):780-785.
APA	Tang Du,Li YongHong,Zhang GuoHe,He ChaoHui,&Fan YunYun.(2013).Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM.SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES,56([db:dc_citation_issue]),780-785.
MLA	Tang Du,et al."Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM".SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES 56.[db:dc_citation_issue](2013):780-785.

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