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Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/12/03
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections
其他
2015-01-01
Zhang, Yi-Bo
;
Sun, Lei
;
Xu, Hao
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2017/12/04
SCHOTTKY-BARRIER SOURCE/DRAIN
MOSFET
PERFORMANCE
SIMULATION
FINFETS
LEAKAGE
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
|
浏览/下载：5/0
|
提交时间：2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
基于酞菁铜的有机光敏场效应管
期刊论文
发光学报/Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2012, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 991-995
作者:
谢吉鹏
;
吕文理
;
杨汀
;
姚博
;
彭应全
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/04/27
有机光敏场效应晶体管
酞菁铜
明/暗电流比
光响应度
Al sources
Copper phthalocyanine
Photoresponsive
Photoresponsivity
Power densities
Schottky contacts
Source/drain electrodes
Schottky-barrier height modulation of metal/In0.53Ga0.47As interfaces by insertion of atomic-layer deposited ultrathin Al2O3
期刊论文
journal of vacuum science technology b, 2011
Wang, Runsheng
;
Xu, Min
;
Ye, Peide D.
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/11/13
aluminium compounds
atomic layer deposition
Fermi level
gallium arsenide
indium compounds
MOSFET
Schottky barriers
METAL SOURCE/DRAIN
MOSFETS
超薄绝缘体上锗(GOI)材料制备及其性质研究
学位论文
2011, 2011
胡美娇
收藏
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浏览/下载：4/0
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提交时间：2016/02/14
锗浓缩
氧化
退火
GOI
肖特基源漏结MOSFETs
Ge condensation
Oxidation
Annealing
GOI
Schottky source/drain junction MOSFETs
Tuning of the Schottky barrier height in NiGe/n-Ge using ion-implantation after germanidation technique
期刊论文
应用物理学快报, 2010
Guo, Yue
;
An, Xia
;
Huang, Ru
;
Fan, Chunhui
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载：3/0
|
提交时间：2015/11/10
annealing
elemental semiconductors
germanium
germanium alloys
ion implantation
nickel alloys
rectification
Schottky barriers
Schottky diodes
semiconductor-metal boundaries
METAL SOURCE/DRAIN
INTERFACE
TEMPERATURE
DEPENDENCE
REDUCTION
FILMS
The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion source technique
期刊论文
chinese physics b, 2009
An Xia
;
Fan Chun-Hui
;
Huang Ru
;
Guo Yue
;
Xu Cong
;
Zhang Xing
;
Wang Yang-Yuan
收藏
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浏览/下载：4/0
|
提交时间：2015/11/10
Schottky barrier height
silicide-as-diffusion source
Ni silicide
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
METAL SOURCE/DRAIN
THERMAL-STABILITY
FILMS
CONTACTS
DRAIN
Impact of Line-Edge Roughness on Double-Gate Schottky-Barrier Field-Effect Transistors
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2009
Yu, Shimeng
;
Zhao, Yuning
;
Zeng, Lang
;
Du, Gang
;
Kang, Jinfeng
;
Han, Ruqi
;
Liu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2015/11/10
FinFETs
line-edge roughness (LER)
parameter fluctuations
process variations
Schottky-barrier field-effect transistors (SBFETs)
SRAM stability
INTRINSIC PARAMETER FLUCTUATIONS
FINFET MATCHING PERFORMANCE
YTTERBIUM SILICIDE
SRAM CELLS
MOSFETS
SOURCE/DRAIN
SIMULATION
DEVICES
DECANANOMETER
STABILITY
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