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	One-Step Growth of Bilayer 2H-1T?MoTe2 van der Waals Heterostructures with Interlayer-Coupled Resonant Phonon Vibration 期刊论文 ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 11268-11277 作者: Guo, Zenglong; Wang, Lei; Han, Mengjiao; Zhao, Erding; Zhu, Liang 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2022/09/16 MoTe2 salt-assisted CVD growth van der Waals heterostructure polarized Raman spectroscopy first-principles calculation
	One-Step Growth of Bilayer 2H-1T' MoTe2 van der Waals Heterostructures with Interlayer-Coupled Resonant Phonon Vibration 期刊论文 ACS NANO, 2022, 页码: 10 作者: Guo, Zenglong; Wang, Lei; Han, Mengjiao; Zhao, Erding; Zhu, Liang 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2022/09/16 MoTe2 salt-assisted CV D growth van der Waals heterostructure polarized Raman spectroscopy first-principles calculation
	Nonvolatile MoTe p–n Diodes for Optoelectronic Logics 期刊论文 ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222 作者: Chenguang Zhu; Xingxia Sun; Huawei Liu; Biyuan Zheng; Xingwang Wang 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2019/12/13 MoTe2 van der Waals heterostructure p−n diode nonvolatile memory logic optoelectronic device
	Nonvolatile MoTe2 p-n Diodes for Optoelectronic Logics 期刊论文 ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.6, 页码: 7216-7222 作者: Zhu, CG; Sun, XX; Liu, HW; Zheng, BY; Wang, XW 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2019/12/17 MoTe2 van der Waals heterostructure p-n diode nonvolatile memory logic optoelectronic device
	Ultrasensitive and Fully Reversible NO2 Gas Sensing Based on p-Type MoTe2 under Ultraviolet Illumination(Article) 期刊论文 ACS Sensors, 2018, 卷号: Vol.3 No.9, 页码: 1719-1726 作者: Wu, E.a; Xie, Y.a; Yuan, B.b; Zhang, H.a; Hu, X.a 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/11/21 gas sensor interface interaction NO2 p-type MoTe2 UV illumination
	MoTe2: A Promising Candidate for SF6 Decomposition Gas Sensors With High Sensitivity and Selectivity 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 页码: 292-295 作者: Wang, Da-Wei; Wang, Xiao-Hua; Yang, Ai-Jun; Chu, Ji-Feng; Lv, Pin-Lei 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/11/26 SF6 decomposition gas selectivity MoTe2 first principles calculation
	MoTe2 saturable absorber for passively Q-switched Ho,Pr:LiLuF4 laser at ∼3 μm 期刊论文 Optics and Laser Technology, 2018, 卷号: 100, 页码: 261-264 作者: Yan Z.; Li T.; Zhao S.; Yang K.; Li D. 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/11 MoTe2 saturable absorber Q-switched lasers Solid state lasers
	MoTe2 saturable absorber for passively Q-switched Ho,Pr:LiLuF4 laser at similar to 3 mu m 期刊论文 OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 100, 页码: 261-264 作者: Yan, Zhengyu; Li, Tao; Zhao, Shengzhi; Yang, Kejian; Li, Dechun 收藏 \| 浏览/下载：7/0 \| 提交时间：2019/12/11 Q-switched lasers MoTe2 saturable absorber Solid state lasers
	Anomalous oxidation and its effect on electrical transport originating from surface chemical instability in large-area, few-layer 1T '-MoTe2 films 期刊论文 NANOSCALE, 2018, 卷号: 10, 期号: 42, 页码: 19906-19915 作者: Yang, L; Wu, H; Zhang, WF; Chen, ZH; Li, J 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2019/12/17 TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES VAPOR-DEPOSITION GROWTH MOTE2 TRANSISTORS MAGNETORESISTANCE STABILITY EVOLUTION DYNAMICS DEFECTS WTE2

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