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Epitaxially-Stacked High Efficiency Laser Diodes Near 905 nm
期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 卷号: 14, 期号: 6
作者:
Zhao, Yuliang
;
Yang, Guowen
;
Zhao, Yongming
;
Tang, Song
;
Lan, Yu
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提交时间:2022/11/08
Epitaxial growth
Resistance
Doping
Optical losses
Optical device fabrication
Stacking
Optical refraction
Epitaxial stacking
high efficiency
laser diode
low optical loss
n-doping concentration
power scaling
specific resistance
tunnel junction
Interface engineering enhanced near-infrared electroluminescence in an n-ZnO microwire/p-GaAs heterojunction
期刊论文
Optics Express, 2022, 卷号: 30, 期号: 14, 页码: 24773-24787
作者:
J. T. Li
;
B. H. Li
;
M. Meng
;
L. L. Sun and M. M. Jiang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/14
Interfacial modulation and plasmonic effect mediated high-brightness green light sources in a single Ga-doped ZnO microwire based heterojunction
期刊论文
Crystengcomm, 2022, 卷号: 24, 期号: 38, 页码: 6642-6653
作者:
X. J. Liu
;
M. S. Liu
;
R. D. Zhu
;
B. H. Li
;
P. Wan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/14
Epitaxial Growth of Bi2Se3 Infrared Transparent Conductive Film and Heterojunction Diode by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
Frontiers in Chemistry, 2022, 卷号: 10, 页码: 8
作者:
Y. H. Chuai
;
C. Zhu
;
D. Yue and Y. Bai
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提交时间:2023/06/14
Purely Gain-Coupled Distributed-Feedback Bragg Semiconductor Laser Diode Emitting at 770 nm
期刊论文
Applied Sciences-Basel, 2021, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 8
作者:
C. K. Ruan
;
Y. Y. Chen
;
L. Qin
;
P. Jia
;
Y. G. Zeng
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2022/06/13
A Self-Powered Photovoltaic Photodetector Based on a Lateral WSe2-WSe2 Homojunction
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12
作者:
Tan, Chaoyang
;
Wang, Huanhuan
;
Zhu, Xiangde
;
Gao, Wenshuai
;
Li, Hui
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2020/11/30
lateral
homojunction
zero-biased
photadetector
WSe2
Backward Diode Rectifying Behavior in AgCrO2/In2O3
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 卷号: 41
作者:
Li, Chenhui
;
Yang, Bingbing
;
Wei, Renhuai
;
Hu, Ling
;
Tang, Xianwu
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2020/11/26
Backward diode
delafossite
In2O3
transparent
Graphene optical data storage using nanoholes
专利
专利号: IN201941026006A, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者:
DR. N.M. SIVA MANGAI
;
SILPA P.A
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/12/31
Gate-Tunable and Programmable n-InGaAs/Black Phosphorus Heterojunction Diodes
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 26, 页码: 23382-23391
作者:
Lee, Youngsu
;
Um, Doo-Seung
;
Lim, Seongdong
;
Lee, Hochan
;
Kim, Minsoo P.
收藏
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提交时间:2019/11/15
heterojunction
multifunctional devices
black phosphorus
III-V compound semiconductor
nanomembrane
Characterization of tunnel oxide passivated contact with n-type poly-Si on p-type c-Si wafer substrate
期刊论文
CURRENT APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 811-816
作者:
Guo, Xueqi
;
Zeng, Yuheng
;
Zhang, Zhi
;
Huang, Yuqing
;
Liao, Mingdun
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提交时间:2019/06/25
Solar cell
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