×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [9]
光电技术研究所 [5]
山东大学 [2]
武汉大学 [2]
内容类型
其他 [9]
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2019 [2]
2018 [1]
2017 [1]
2016 [9]
2011 [2]
2010 [3]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共18条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The R&D efficiency of the Taiwanese semiconductor industry
期刊论文
MEASUREMENT, 2019, 卷号: 137
作者:
Wu, Hung-Yi
;
Chen, I-Shuo
;
Chen, Jui-Kuei
;
Chien, Ching-Fan
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Innovation
Patent
Efficiency
Semiconductor industry
Data envelopment analysis (DEA)
The Realization of a Topological Insulator Saturable Absorber-Based Mode-Locked Solid State Laser
会议论文
2018 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, CLEO-PR 2018, July 29, 2018 - August 3, 2018
作者:
Lan, Jiachi
;
Wang, Yi-Ran
;
Sung, Wei-Heng
;
Zhang, Bai-Tao
;
Wu, Chung-Lung
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/31
The realization of a topological insulator saturable absorber-based mode-locked solid state laser
期刊论文
Optics InfoBase Conference Papers, 2018, 卷号: Part F113-CLEOPR 2018
作者:
Lan, Jiachi
;
Wang, Yi-Ran
;
Sung, Wei-Heng
;
Zhang, Bai-Tao
;
Wu, Chung-Lung
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Exploring benchmark corporations in the semiconductor industry based on efficiency
期刊论文
Journal of High Technology Management Research, 2017, 卷号: 28, 期号: 2
作者:
Chen, Jui-Kuei
;
Ye, Rih-Wei
;
Chen, I-Shuo
;
Tsai, Chia-Han
;
Wu, Hung-Yi
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/05
ESD Reliability Improvement of the 0.25-mu m 60-V Power nLDMOS with Discrete Embedded SCRs Separated by STI Structures
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Chen, Hung-Wei
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Electrostatic discharge (ESD)
N-channel lateral-diffused MOSFET (nLDMOS)
Secondary breakdown current (I-t2)
Shallow-trench isolation (STI)
Silicon-controller rectifier (SCR)
ESD Reliability Evaluations of the 60-V nLDMOS by the Drain-side Discrete SCRs
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
LDMOS
Design on ESD Robustness of Source-side Discrete Distribution in the 60-V High-Voltage nLDMOS Devices
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
LDMOS
ESD reliability improvement of the 0.25-��m 60-V power nLDMOS with discrete embedded SCRs separated by STI structures
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Chen, Hung-Wei
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/03
ESD-reliability characterizations of a 45-V p-channel LDMOS-SCR with the discrete-cathode end
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Huang, Yu-Ting
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Design on ESD robustness of source-side discrete distribution in the 60-V high-voltage nLDMOS devices
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2017/12/03
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace