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| Manufacture of semiconductor element 专利
专利号: JP1992211187A, 申请日期: 1992-08-03, 公开日期: 1992-08-03
作者: SATO FUMIHIKO; IMAMOTO HIROSHI; MATSUMOTO MIKIO; EBARA MASAHIRO
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| Semiconductor device 专利
专利号: JP1991085784A, 申请日期: 1991-04-10, 公开日期: 1991-04-10
作者: IMAMOTO HIROSHI; SATO FUMIHIKO
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| Epitaxial crystal growth 专利
专利号: JP1989264217A, 申请日期: 1989-10-20, 公开日期: 1989-10-20
作者: IMAMOTO HIROSHI
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| Semiconductor quantum well laser 专利
专利号: JP1989264286A, 申请日期: 1989-10-20, 公开日期: 1989-10-20
作者: IMAMOTO HIROSHI
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| Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement 专利
专利号: US4839307, 申请日期: 1989-06-13, 公开日期: 1989-06-13
作者: IMANAKA, KOICHI; IMAMOTO, HIROSHI
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| Eptaxial crystal growth 专利
专利号: JP1989128424A, 申请日期: 1989-05-22, 公开日期: 1989-05-22
作者: IMANAKA KOICHI; IMAMOTO HIROSHI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988220587A, 申请日期: 1988-09-13, 公开日期: 1988-09-13
作者: IMAMOTO HIROSHI
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