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Wavelength-tunable si-based ingaas resonant cavity enhanced photodetectors using sol-gel wafer bonding technology 期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 13, 页码: 881-883
作者:  Zhang, Lingzi;  Cao, Quan;  Zuo, Yuhua;  Xue, Chunlai;  Cheng, Buwen
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High-performance metamorphic ingaas resonant cavity enhanced photodetector grown on gaas substrate 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: 3
作者:  Liu, S. Q.;  Han, Q.;  Zhu, B.;  Yang, X. H.;  Ni, H. Q.
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Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology 期刊论文
ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 13, 页码: 881-883
作者:  Cao Q
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High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate 期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104
作者:  Li MF;  He JF
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Characteristic analysis of the optical delay in frequency response of resonant cavity enhanced (rce) photodetectors 期刊论文
Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2223-2228
作者:  Guo Jian-Chuan;  Zuo Yu-Hua;  Zhang Yun;  Ding Wu-Chang;  Cheng Bu-Wen
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Design and fabrication of algan-based resonant-cavity-enhanced p-i-n uv pds 期刊论文
Ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 5-6, 页码: 575-578
作者:  Nie, Chao;  Jiang, Ruo Lian;  Ji, Xiao Li;  Xie, Zi Li;  Liu, Bin
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High responsivity resonant-cavity-enhanced ingaas/gaas quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文
Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330
作者:  Sun, X. M.;  Zhang, H.;  Zhu, H.;  Xu, P.;  Li, G. R.
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Design and Fabrication of AlGaN-Based Resonant-Cavity-Enhanced p-i-n UV PDs 期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2009, 卷号: 45, 期号: 5-6, 页码: 575-578
作者:  Ji XL
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Characteristic analysis of the optical delay in frequency response of resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors 期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2223-2228
Guo JC; Zuo YH; Zhang Y; Ding WC; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/08
High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文
electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330
作者:  Zhu H;  Liu J
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