×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
微电子研究所 [3]
厦门大学 [2]
上海微系统与信息技术... [2]
安徽大学 [2]
半导体研究所 [2]
清华大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [11]
外文期刊 [2]
学位论文 [2]
发表日期
2016 [1]
2013 [1]
2012 [2]
2011 [4]
2010 [1]
2009 [1]
更多...
学科主题
Materials ... [1]
Physics, A... [1]
微电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
高性能Au纳米晶半导体存储器的研制
学位论文
2016, 2016
许怡红
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/06/20
纳米晶半导体存储器
Au纳米颗粒
N2等离子体处理
存储窗口
nanocrystal semiconductor memory
Au nanoparticles
N2-plasma treatment
memory window
Si基半导体-金属纳米晶制备及电荷存储性能研究
学位论文
2013, 2013
唐锐钒
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/01/13
Si纳米图形衬底
GeSi量子点
Au纳米晶
电荷存储,低功耗,纳米晶浮栅存储器。
pre-patterned Si substrate
GeSi quantum dots
Au nanocrystals
charge storage, low-power, nanocrystal floating gate memory
Direct Tunneling and Storage of Electrons in Ni Nanocrystals Embedded within MOS Structure
期刊论文
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2012, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 1-4
Ni, HN
;
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Hui, C
收藏
  |  
浏览/下载:90/0
  |  
提交时间:2013/04/17
nanocrystal memory
Ni NCs
MOS structure
charge storage properties
Analysis of cycling induced interface degradation in Si nanocrystal memory devices
期刊论文
ECS Transactions, 2012, 卷号: Vol.45 No.3, 页码: 311-316
作者:
Liu,Ming
;
Chen,Junning
;
Sun,Zhong
;
Zhang,Manhong
;
Jiang,Dandan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/04/22
Analysis of Trap Generation during Programming/Erasing Cycling in Silicon Nanocrystal Memory Devices
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2011
作者:
Liu M(刘明)
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2012/11/15
Formation of silicon nanocrystals embedded in high-kappa dielectric hfo2 and their application for charge storage
期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 6
作者:
Li, Weilong
;
Jia, Rui
;
Chen, Chen
;
Li, Haofeng
;
Liu, Xinyu
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
A novel junction-assisted programming scheme for Si-nanocrystal memory devices with improved performance
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2011, 卷号: Vol.26 No.11, 页码: 115008
作者:
Liu,M 更多内容更少内容
;
Yu,ZA
;
Bai,J
;
Wang,Y
;
Zhang,B
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/04/22
FLASH-MEMORY
DATA RETENTION
Formation of silicon nanocrystals embedded in high-kappa dielectric HfO2 and their application for charge storage
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: article no.21018
Li WL
;
Jia R
;
Chen C
;
Li HF
;
Liu XY
;
Yue HH
;
Ding WC
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Hashizume T
;
Wu NJ
;
Xu BS
收藏
  |  
浏览/下载:38/2
  |  
提交时间:2011/07/05
SI NANOCRYSTALS
MEMORY
TECHNOLOGY
DEPOSITION
VOLTAGE
LAYER
Performance and reliability of multilayer silicon nanocrystal nonvolatile memory
期刊论文
2010, 2010
Wang Liudi
;
Zhang Zhigang
;
Zhao Yue
;
Mao Ping
;
Pan Liyang
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
Unified random access memory (URAM) by integration of a nanocrystal floating gate for nonvolatile memory and a partially depleted floating body for capacitorless 1T-DRAM.
期刊论文
Solid State Electronics, 2009, 卷号: Vol.53 No.3, 页码: 389-391
作者:
Choi,Yang-Kyu
;
Kim,Chung-Jin
;
Han,Jin-Woo
;
Kim,Sungho
;
Ryu,Seong-Wan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2020/01/13
RANDOM
access
memory
NANOCRYSTALS
SILICON-on-insulator
technology
METAL
oxide
semiconductor
field-effect
transistors
CAPACITORS
INFORMATION
storage
&
retrieval
systems
SOLID
state
electronics
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace