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Ion implantation isolation based micro-light-emitting diode device array properties
期刊论文
Acta Physica Sinica, 2020, 卷号: 69, 期号: 2, 页码: 7
作者:
C. H. Gao,F. Xu,L. Zhang,D. S. Zhao,X. Wei,L. J. Che,Y. Z. Zhuang,B. S. Zhang and J. Zhang
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提交时间:2021/07/06
Reduction of leakage current by O-2 plasma treatment for device isolation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 351, 页码: 1155-1160
作者:
Jiang, Ying
;
Wang, Qingpeng
;
Zhang, Fuzhe
;
Li, Liuan
;
Zhou, Deqiu
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/09
GaN
AlGaN/GaN HFET
Mesa isolation
O-2 plasma treatment
Leakage current
Enhancement Mode (E-Mode) AlGaN/GaN MOSFET With 10(-13) A/mm Leakage Current and 10(12) ON/OFF Current Ratio
期刊论文
ieee electron device letters, 2014
Xu, Zhe
;
Wang, Jinyan
;
Cai, Yong
;
Liu, Jingqian
;
Jin, Chunyan
;
Yang, Zhenchuan
;
Wang, Maojun
;
Yu, Min
;
Xie, Bing
;
Wu, Wengang
;
Ma, Xiaohua
;
Zhang, Jincheng
;
Hao, Yue
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/10
Post-gate annealing (PGA)
GaN
enhancement mode
MOSFET
ON/OFF current ratio
mesa isolation current
GAN MIS-HEMTS
AL2O3/GAN MOSFET
INTERFACE
Enhancement Mode (E-Mode) AlGaN/GaN MOSFET With 10(-13) A/mm Leakage Current and 10(12) ON/OFF Current Ratio
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1200-1202
作者:
Cai, Y (蔡勇)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2015/02/03
Post-gate annealing (PGA)
GaN
enhancement mode
MOSFET
ON/OFF current ratio
mesa isolation current
128 x 128 sw/mw two-color hgcdte irfpas
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2010, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 415-418
作者:
Ye Zhen-Hua
;
Yin Wen-Ting
;
Huang Jian
;
Hu Wei-Da
;
Chen Lu
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提交时间:2019/05/10
Hgcdte
Wet chemical etching
Two-color micro-mesa isolation
Peak detectivity
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/09
SOI
MOSFET
Investigation of hot carrier effects in SOI nMOSFET's operating in a Bi-MOS mode with mesa isolation
其他
2001-01-01
Huang, R
;
Hang, Y
;
He, J
;
Wang, YY
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/11/13
CONTROLLED HYBRID TRANSISTOR
CHANNEL
MOSFETS
Semiconductor laser array device and manufacture of same
专利
专利号: JP1987042592A, 申请日期: 1987-02-24, 公开日期: 1987-02-24
作者:
KUME MASAHIRO
;
ITO KUNIO
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提交时间:2020/01/18
Single axial mode semiconductor laser
专利
专利号: JP1985145692A, 申请日期: 1985-08-01, 公开日期: 1985-08-01
作者:
MITO IKUO
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser
专利
专利号: JP1985136281A, 申请日期: 1985-07-19, 公开日期: 1985-07-19
作者:
KINOSHITA JIYUNICHI
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提交时间:2020/01/18
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