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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm mosfets 期刊论文 Ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 作者:  Jiang, Xiang-Wei;  Deng, Hui-Xiong;  Luo, Jun-Wei;  Li, Shu-Shen;  Wang, Lin-Wang 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2019/05/12 Dopant fluctuation  Linear combination of bulk band (lcbb)  Mosfet  Quantum mechanical  Threshold  3-d   A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：153/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D