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A Modified Single Pulse Method for Transient Thermal Impedance (TTI) Measurement of VDMOSFET Relates Gate Bias to the TTI Results 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2018, 卷号: 18, 页码: 383-391
作者:  Tang, Yankun
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/19
功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 693-696
作者:  赵志桓;  姜维宾;  韩希方;  张礼;  李惠军
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
平面型VDMOS功率管的设计与研究 学位论文
: 上海大学, 2004
作者:  张珺[1]
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/05/10
低压应用的高性能甚高频功率VDMOSFETs（英文） 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 975-978
作者:  刘英坤;  梁春广;  邓建国;  张颖秋;  郎秀兰
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27
一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET（英文） 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 841-845
作者:  刘英坤;  梁春广;  王长河;  李思渊
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27
A high frequency, high power VDMOSFET 会议论文
6th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:  Liu, YK;  Deng, JG;  Lang, XL;  Zhang, YQ;  Wu, J
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Molybdenum film technology for power metal oxide semiconductor field effect transistor gate electrode applications 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2000, 卷号: 39, 期号: 7A, 页码: 3915-3918
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400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 期刊论文
半导体技术, 2000, 期号: 2, 页码: 26-28
作者:  刘英坤;  王占利;  何玉樟;  郎秀兰;  张大立
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27
Research on a 500 V/11 A VDMOSFET 期刊论文
Hsi-An Chiao Tung Ta Hsueh/Journal of Xi'an Jiaotong University, 1998, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: [d]22-25, 30
作者:  Chen, Ning;  Zhu, Changchun;  Wu, Yiqing;  Sin, Johnny K.O.
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07
500 V/11 A VDMOSFET 的研究 期刊论文
西安交通大学学报, 1998, 期号: 5, 页码: 24-27,32
作者:  陈宁;  朱长纯;  吴一清;  单建安
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