400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管

	400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管
	刘英坤; 王占利; 何玉樟; 郎秀兰; 张大立; 夏雷; 吴坚; 周晓黎
刊名	半导体技术
	2000-04-13
期号	2 页码:26-28
关键词	高频大功率 Mo栅工艺 VDMOSFET
其他题名	400MHz;CW 300W VDMOS功率场效应晶体管
中文摘要	采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的高性能 VDMOSFET,其漏极效率大于 5 0 % ,增益大于 9d B。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101087]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘英坤,王占利,何玉樟,等. 400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管[J]. 半导体技术,2000(2):26-28.
APA	刘英坤.,王占利.,何玉樟.,郎秀兰.,张大立.,...&周晓黎.(2000).400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管.半导体技术(2),26-28.
MLA	刘英坤,et al."400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管".半导体技术 .2(2000):26-28.