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Growth of high-quality wafer-scale graphene on dielectric substrate for high-response ultraviolet photodetector
期刊论文
Carbon, 2021, 卷号: 175, 页码: 155-163
作者:
Y. Chen
;
K. Jiang
;
H. Zang
;
J. Ben
;
S. Zhang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers
期刊论文
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10
作者:
D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
Characterization of Zn-doped GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
Rare Metals, 2020, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1328-1332
作者:
C. T. Wu,Y. Zhou,Q. Y. Sun,L. Q. Huang,A. L. Li and Z. M. Li
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2021/07/06
Achieving Hybridized Local and Charge-Transfer Excited State and Excellent OLED Performance Through Facile Doping
期刊论文
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2017, 卷号: 5, 期号: 21
作者:
Yuan, Wang Zhang
;
Bin, Xin
;
Chen, Gan
;
He, Zihan
;
Liu, Jun
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/04/25
Charge Transport
Doping
Electroluminescence
Organic Light-emitting Diodes (Oleds)
蓝宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究(英文)
期刊论文
2016, 2016
赵湘楠
;
韩彦军
;
孙长征
;
罗毅
;
ZHAO Xiangnan
;
HAN Yanjun
;
SUN Changzheng
;
LUO Yi
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浏览/下载:5/0
Graphene-GaN Schottky diodes
期刊论文
NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338
作者:
Kim Seongjun
;
Seo Tae Hoon
;
Kim Myung Jong
;
Song Keun Man
;
Suh EunKyung
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/12/13
LIGHT-EMITTING-DIODES
N-TYPE GAN
THERMIONIC-FIELD-EMISSION
SENSITIZED SOLAR-CELLS
CONTACT RESISTANCE
BARRIER HEIGHT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TRANSPARENT ELECTRODES
RAMAN-SPECTROSCOPY
METAL CONTACTS
graphene
GaN
Schottky diode
Schottky barrier height
Fermi level pinning
Wavelength-Tuned Light Emission via Modifying the Band Edge Symmetry: Doped SnO2 as an Example
期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2014, 卷号: 118, 期号: 12, 页码: 6365-6371
Zhou H.
;
Deng R.
;
Li Y. F.
;
Yao B.
;
Ding Z. H.
;
Wang Q. X.
;
Han Y.
;
Wu T.
;
Liu L.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/24
Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 045015
Feng, YX
;
Liu, GP
;
Yang, SY
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/04/02
Design Considerations for GaN-Based Blue Laser Diodes With InGaN Upper Waveguide Layer
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2013, 卷号: 19, 期号: 4
作者:
Yang, H(杨辉)
;
Zhang, LQ(张立群)
;
Li, DY(李德尧)
;
Liu, JP(刘建平)
;
Zhang, SM(张书明)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/01/10
LOW-ASPECT-RATIO
The effects of InGaN layer thickness on the performance of InGaN/GaN p-i-n solar cells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6
作者:
Yang, H(杨辉)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2014/01/15
nitride materials
crystal growth
solar cell
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