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The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:
Zheng, Qiwen
;
Cui, Jiangwei
;
Lu, Wu
;
Guo, Hongxia
;
Liu, Jie
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/10/08
Charge sharing
single-event upset (SEU)
static random access memory
total ionizing dose (TID)
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Yu, XF (Yu, Xuefeng)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CF (He, Chengfa)
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2018/05/15
Static Noise Margin (Snm)
Static Random Access Memory (Sram)
Total Ionizing Dose (Tid)
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]
;
Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2018/09/27
Charge Sharing
Single-event Upset (Seu)
Static Random Access Memory
Total Ionizing Dose (Tid)
Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 516-519
作者:
Yang, Jin
;
Wang, Yiming
;
Li, Yunpeng
;
Yuan, Yuzhuo
;
Hu, Zhenjia
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
indium gallium zinc oxide (IGZO)
tin monoxide
(SnO)
thin-film transistor (TFT)
uniformity
static voltage gain
noise margin
Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)
;
Liu, MX (Liu, Mengxin)
;
Su, DD (Su, Dandan)
;
Zhou, H (Zhou, Hang)
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2017/12/05
Silicon-on-insulator
Total Ionizing Dose
Static Random Access Memory
Static Noise Margin
Printed thin film transistors and CMOS inverters based on semiconducting carbon nanotube ink purified by a nonlinear conjugated copolymer
期刊论文
NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 8
作者:
Xu, WY(徐文亚)
;
Dou, JY(窦军彦)
;
Zhao, JW(赵建文)
;
Tan, HW
;
Ye, J
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2017/03/11
基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究
学位论文
工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
刘丽
收藏
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浏览/下载:213/0
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提交时间:2015/09/02
绝缘体上硅
KFZ加固
单粒子翻转
静态随机存储器
silcon-on-insulator(SOI)
radiation hardness
sigle event upset(SEU)
static random access memory(SRAM)
Comprehensive investigation and design of Tunnel FET-based SRAM
其他
2015-01-01
Zhu, Hao
;
Huang, Qianqian
;
Guo, Lingyi
;
Yang, Libo
;
Ye, Le
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation
期刊论文
Chinese Physics B, 2014, 卷号: 23, 期号: 10
作者:
Zheng, Qi-Wen
;
Yu, Xue-Feng
;
Cui, Jiang-Wei
;
Guo, Qi
;
Ren, Di-Yuan
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/11/11
total dose irradiation
static random access memory
pattern imprinting
deep sub-micron
Performance Investigation of SRAM Cells Based on Gate-all-around (GAA) Si Nanowire Transistor for Ultra-low Voltage Applications
其他
2012-01-01
Ou, Jiaojiao
;
Huang, Ru
;
Liu, Yuchao
;
Wang, Runsheng
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/13
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