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First-principles Study of Doped (Silicon, Germanium, Tin) Single-wall Carbon Nanotubes 期刊论文
Cailiao Daobao/Materials Reports, 2022, 卷号: 36, 期号: 9
作者:  Lu, Xuefeng;  Wang, Kuan;  Cui, Zhihong
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2022/06/20
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:  张晋新1;  王信2;  郭红霞2,3;  冯娟1;  吕玲1
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/03/17
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/11/03
SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法 专利
专利号: CN109449757A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者:  舒斌;  高玉龙;  张利锋;  胡辉勇;  王斌
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18
一种配方烟丝中膨胀烟丝全自动分离仪及其控制方法 专利
专利号: CN105910943B, 申请日期: 2019-03-01,
作者:  邓国栋;  花昌义;  李志刚;  堵劲松;  张大波
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/12/14
Design of Millimeter-Wave Bandpass Filters With Broad Bandwidth in Si-Based Technology 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1174-1181
作者:  Feng Sun;  He Zhu;  Xi Zhu;  Yang Yang;  Yichuang Sun
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/17
Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same 专利
专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
作者:  CHENG, CHENG-WEI;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  SADANA, DEVENDRA K.;  SHIU, KUEN-TING
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24
SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06
作者:  方雯;  罗军;  赵超
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/26
Influence of YbP on the thermoelectric properties of n-type P doped Si95Ge5 alloy. 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018
作者:  Sui, Fan;  Bux, Sabah K.;  Kauzlarich, Susan M.
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Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/06/20

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