三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应 | |
张晋新1; 王信2; 郭红霞2,3; 冯娟1; 吕玲1; 李培4; 闫允一1; 吴宪祥1; 王辉1 | |
刊名 | 物理学报 |
2022 | |
卷号 | 71期号:5页码:314-324 |
关键词 | 锗硅异质结双极晶体管 总剂量效应 三维数值模拟 |
ISSN号 | 1000-3290 |
英文摘要 | 为探索锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)总剂量效应的损伤机理,采用半导体器件三维模拟工具(TCAD),建立电离辐照总剂量效应损伤模型,分析比较电离辐射在SiGe HBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后,器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征,获得SiGe HBT总剂量效应损伤规律,并与60Coγ辐照实验进行对比.结果表明:总剂量辐照在SiGe HBT器件中引入的氧化物陷阱正电荷主要在pn结附近的Si/SiO2界面处产生影响,引起pn结耗尽区的变化,带来载流子复合增加,最终导致基极电流增大、增益下降;其中EB Spacer氧化层中产生的陷阱电荷主要影响正向Gummel特性,而LOCOS隔离氧化层中的陷阱电荷则是造成反向Gummel特性退化的主要因素.通过数值模拟分析获得的SiGe HBT总剂量效应损伤规律与不同偏置下60Coγ辐照实验的结论符合得较好。 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8156] |
专题 | 固体辐射物理研究室 |
作者单位 | 1.西安交通大学核科学与技术学院 2.西北核技术研究院 3.中国科学院新疆理化技术研究所 4.西安电子科技大学空间科学与技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张晋新1,王信2,郭红霞2,3,等. 三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应[J]. 物理学报,2022,71(5):314-324. |
APA | 张晋新1.,王信2.,郭红霞2,3.,冯娟1.,吕玲1.,...&王辉1.(2022).三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应.物理学报,71(5),314-324. |
MLA | 张晋新1,et al."三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应".物理学报 71.5(2022):314-324. |
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