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西安光学精密机械研究... [2]
微电子研究所 [1]
西安理工大学 [1]
内容类型
专利 [2]
会议论文 [2]
发表日期
2019 [1]
2011 [1]
1992 [1]
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A Snapback-free RC-IGBT with Si3N4 Trench and P-type Pillar
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Cui, Lei
;
Zhang, Bi Jun
;
Wu, Peng Fei
;
Ma, Li
;
Zhang, Ru Jiang
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/20
RC-IGBT
snapback effect
Si3N4 trench
p-type pillar
Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching
会议论文
作者:
Yang T(杨涛)
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/11/19
Manufacture of semiconductor laser device
专利
专利号: JP1992326786A, 申请日期: 1992-11-16, 公开日期: 1992-11-16
作者:
ATSUNUSHI FUMIHIRO
;
OKUMURA TOSHIYUKI
;
MORIOKA TATSUYA
收藏
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浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser element
专利
专利号: JP1992174583A, 公开日期: 1992-06-22
作者:
YOSHIDA TAKASHI
;
SAITO YOSHITO
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
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