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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of the interface traps and current collapse in LPCVD SiNx/AlGaN/GaN MISHEMTs 会议论文 作者:  Yu, Kun;  Liu, Chao;  Jiang, Huaxing;  Lu, Xing;  Lau, Kei May 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MIS-HEMTs  Current collapse  I-V measurements  Interface traps  LPCVD SiNx  Metal insulator semiconductor high electron mobility transistors (MISHEMT)  Passivation layer  Plasma enhanced chemical vapor depositions (PE CVD)