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Simulation study on single-event burnout in field-plated Ga2O3 MOSFETs 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 卷号: 149
作者:  Yu, Cheng-hao;  Guo, Hao-min;  Liu, Yan;  Wu, Xiao-dong;  Zhang, Li-long
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2023/11/10
Design of DC Magnet Power Supply System for ITER Static Magnetic Field Test Facility 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, 2022
作者:  Deng, Xi;  Jiang, Li;  Huang, Ya;  Gao, Ge
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/12/23
Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2022/03/24
Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 3, 页码: 1071-1076
作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaoling Xu ;   Mingshan Li;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li;   Quan Wang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/11/05
Three-Dimensional Mechanistic Modeling of Gate Leakage Current in High- κ MOSFETs 期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 024020
作者:  Feilong Liu;   Yue-Yang Liu;   Ling Li;   Guofu Zhou;   Xiangwei Jiang;   Jun-Wei Luo
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/11/30
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/07/11
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/07/15
A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs 期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006
作者:  Ren, Yu;  Yang, Xu;  Zhang, Fan;  Wang, Fei;  Tolbert, Leon M.
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/11/19
Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254
作者:  Yongwei Chang;  Jiexin Luo;  Jing Chen;  Lingda Xu;  Zhan Chai
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13
Analysis of electron transport in the nano-scaled Si, SOI and III-V MOSFETs: Si/SiO2 interface charges and quantum mechanical effects 期刊论文
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 2019, 卷号: 504, 期号: 1
作者:  Islam, A.*;  Kalna, K.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/28

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