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Investigations on the Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Varying GaN Cap Layer Thickness 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2020, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 191
作者:  Xiaowei Wang;  Feng Liang;  Degang Zhao;  Zongshun Liu;  Jianjun Zhu ;  Jing Yang
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/05/24
一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者:  王鑫华;  刘新宇;  黄森;  赵超;  王文武
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文
Optical Materials, 2018
作者:  Yang, J.;  Liu, S.T.;  Du, G.T.;  Zhang, Y.T.;  Li, M.
收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Li, Xiang;  Xu, Ning;  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Zhang, Xinping
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/03/27
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/19
Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer 期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7400-7404
作者:  Wei, Lin-Cheng;  Wang, Quan;  Feng, Chun;  Xiao, Hong-Ling;  Jiang, Li-Juan
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11
Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/02/05
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文
vacuum, 2016, 卷号: 129, 页码: 99-104
J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; L.C. Le; X.G. He; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/10
Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2016, 卷号: 100, 页码: 358-364
作者:  Cui, Peng;  Liu, Huan;  Lin, Zhaojun;  Cheng, Aijie;  Liu, Yan
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/17

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