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Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:  Zheng, Wei-Min;  Cong, Wei-Yan;  Li, Su-Mei;  Wang, Ai-Fang;  Li, Bin
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Raman spectrum study of δ-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 期号: 01, 页码: 518-523
作者:  Zheng WM(郑卫民);  Cong WY(丛伟艳);  Li SM(李素梅);  Wang AF(王爱芳);  Li B(李斌)
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Raman spectrum study of delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells 期刊论文
Chinese Physics B, 2018, 卷号: 27, 期号: 1
作者:  Zheng, Wei-Min;  Cong, Wei-Yan;  Li, Su-Mei;  Wang, Ai-Fang;  Li, Bin
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Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 4
作者:  Zheng, Wei-Min;  Li, Su-Mei;  Cong, Wei-Yan;  Wang, Ai-Fang;  Li, Bin
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Excitonic transitions in Be-doped GaAs/AlAs multiple quantum well 期刊论文
Chinese Physics B, 2016, 期号: 04, 页码: 334-338
作者:  Zheng WM(郑卫民);  Li SM(李素梅);  Cong WY(丛伟艳);  Wang AF(王爱芳);  Li B(李斌)
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/16
Intra-acceptor hole relaxation in Be delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 3975-3979
作者:  Li Su-Mei;  Zheng Wei-Min;  Song Ying-Xin;  Liu Jing;  Chu Ning-Ning
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Effect of quantum confinement on acceptor state lifetime in Be delta doped GaAs/AlAs multiple quantum wells 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 9, 页码: 6471-6476
作者:  Song Ying-Xin;  Zheng Wei-Min;  Liu Jing;  Chu Ning-Ning;  Li Su-Mei
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Intra-acceptor hole relaxation in Be δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells 期刊论文
Chinese Physics B, 2009, 期号: 09, 页码: 3975-3979
作者:  Li SM(李素梅);  Zheng WM(郑卫民);  Song YX(宋迎新);  Liu J(刘静);  Chu NN(初宁宁)
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Anisotropic exchange splitting of excitons in (001)GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 013106
Zhou, ZY; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG
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Large g factors of higher-lying excitons detected with reflectance difference spectroscopy in gaas-based quantum wells 期刊论文
Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 5, 页码: 3
作者:  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Xu, B.;  Wang, Z. G.;  Yang, Z.
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