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Q-Switched External-Cavity Surface-Emitting Lasers
期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2021, 卷号: 48, 期号: 7
作者:
X. Zhang
;
L. Pan
;
Y. Zeng
;
Z. Zhang
;
H. Yang
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2022/06/13
Molecular beam epitaxial growth of InAs quantum dots on GaAs for high characteristics temperature lasers
期刊论文
J. Infrared Millim. Waves, 2020, 卷号: 39, 期号: 6, 页码: 667~670
作者:
Yuan Ye
;
Su Xiang-Bin
;
Yang Cheng-ao
;
Zhang Yi
;
Shang Jin-Ming
;
Xie Sheng-Wen
;
Zhang Yu
;
Ni Hai-Qiao
;
Xu Ying-Qiang
;
Nil Zhi-Chuan
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/05/21
Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-µm quantum dot lasers
期刊论文
Chin. Phys. B, 2019, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 078104
作者:
Hui-Ming Hao
;
Xiang-Bin Su
;
Jing Zhang
;
Hai-Qiao Ni
;
Zhi-Chuan Niu
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2020/08/04
GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics
期刊论文
CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 21
作者:
Wang, Ying
;
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Zaixing
;
Wang, Fengyun
;
Han, Ning
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/12/04
Gaas Nanowires
Catalyst Epitaxy
Photovoltaics
Optical Absorption
Schottky Barrier
(n11)取向GaAsN外延材料的Si掺杂行为及肖特基接触特性研究
学位论文
工程硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
董琛
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2016/11/24
GaAsN
生长取向
外延生长
光电特性
Growth orientation
Epitaxial growth
Optoelectronic characteristics
Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge (100) by all-solid-source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 卷号: 35, 期号: 2
作者:
He, W
;
Lu, SL(陆书龙)
;
Yang, H(杨辉)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Raman spectroscopy of epitaxial topological insulator bi2te3 thin films on gan substrates
期刊论文
Modern physics letters b, 2015, 卷号: 29, 期号: 15, 页码: 10
作者:
Xu, Hao
;
Song, Yuxin
;
Gong, Qian
;
Pan, Wenwu
;
Wu, Xiaoyan
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/10
Topological insulator
Bi2te3
Raman spectroscopy
Resonant raman scattering
Domain boundaries
Electron-phonon interaction
宽禁带半导体材料的光电特性研究
学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:
王丹丹
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2015/11/30
宽禁带半导体
氧化锌
石墨
碳化硅
硒化锌
晶格动力学
GaAs-on-insulator fabricated via ion-cut in epitaxial GaAs /Ge substrate
会议论文
2014 12th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014, Guilin, China, October 28, 2014 - October 31, 2014
作者:
Chang, Yongwei
;
Chen, Da
;
Di, Zengfeng
;
Zhang, Miao
;
Yu, Wenjie
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2017/01/20
Semiconducting gallium
Bonding
Chemical bonds
Etching
Gallium arsenide
Germanium
Molecular beam epitaxy
Silicon oxides
Silicon wafers
Wafer bonding
Annealing temperatures
Bulk substrates
Chemical etching
Dose implantation
Epitaxial GaAs
High-crystalline quality
Room temperature bonding
Sacrificial layer
Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
J.Alloy.Compd, 2013, 卷号: 580, 期号: 82
Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2014/11/10
Galliumarsenide
Nanowire
Molecularbeamepitaxy
Microstructure
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