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Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1−xN superlattices grown on sapphire substrates
期刊论文
CRYSTENGCOMM, 2020, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 3198-3205
作者:
Weijiang Li
;
Liang Guo
;
Shengnan Zhang
;
Qiang Hu
;
Hongjuan Cheng
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/06/17
一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法
专利
专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者:
邵慧慧
;
徐现刚
;
开北超
;
李沛旭
;
郑兆河
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/18
Rectifying behavior in the gan/graded-alxga1?xn/gan double heterojunction structure
期刊论文
Journal of physics d: applied physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 20
作者:
Wang,Caiwei
;
Jiang,Yang
;
Ma,Ziguang
;
Zuo,Peng
;
Yan,Shen
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2019/05/09
Rectification
Heterojunction
Polarization
氮化物半导体激光元件
专利
专利号: CN107851969A, 申请日期: 2018-03-27, 公开日期: 2018-03-27
作者:
川口真生
;
今藤修
;
能崎信一郎
;
萩野裕幸
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/01/13
GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法
专利
专利号: CN107809057A, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2018-03-16
作者:
孙慧卿
;
张秀
;
郭志友
;
侯玉菲
;
汪鑫
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
AlGaInP-based semiconductor laser
专利
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:
HAGIMOTO, MASATO
;
FUKAI, HARUKI
;
KIYOSUMI, TSUTOMU
;
SASAKI, SHINJI
;
KAWANAKA, SATOSHI
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/26
Stimulated emission at 272 nm from an AlxGa1−xN-based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets
期刊论文
RSC Advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 55, 页码: 50245-50249
Yingdong Tian
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Xiang Chen
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/16
High Mg effective incorporation in Al-rich AlxGa1 (-) N-x by periodic repetition of ultimate V/III ratio conditions
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-40, 2014
Zheng, Tongchang
;
Lin, Wei
;
Cai, Duanjun
;
Yang, Weihuang
;
Jiang, Wei
;
Chen, Hangyang
;
Li, Jinchai
;
Li, Shuping
;
Kang, Junyong
;
蔡端俊
;
李书平
;
康俊勇
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
AUGMENTED-WAVE METHOD
GAN
GROWTH
HETEROSTRUCTURES
POLARIZATION
ENHANCEMENT
SOLUBILITY
MECHANISM
SURFACES
DIODES
Intersubband absorption properties of high al content alxga1?xn/gan multiple quantum wells grown with different interlayers by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1
作者:
Sun,He Hui
;
Guo,Feng Yun
;
Li,Deng Yue
;
Wang,Lu
;
Wang,Dong Bo
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/05/09
Quantum wells
Interface
Intersubband
Tem
Pacs
61.72.lk
61.05.cp
68.37.-d
61.72.uj
Light emitting element structure using nitride bulk single crystal layer
专利
专利号: AU2002363682A1, 申请日期: 2003-05-26, 公开日期: 2003-05-26
作者:
DORADZINSKI, ROMAN
;
DWILINSKI, ROBERT
;
GARCZYNSKI, JERZY
;
KANBARA, YASUO
;
SIERZPUTOWSKI, LESZEK
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提交时间:2019/12/31
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