| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 | |
| 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河 | |
| 2018-11-13 | |
| 著作权人 | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 专利号 | CN108808446A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型光限制层、n型波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN光限制层和表面欧姆接触层，n型光限制层内设有位错折断层，位错折断层为AlxGa1‑xN与Si3N4的超晶格结构，0＜x≤0.6。本发明插入位错折断层，可以实现将GaN基激光器结构生长中所产生的穿透位错折断，从而降低延伸至发光层中的穿透位错密度，从而改善和提高GaN基激光器的性能和使用寿命。 |
| 公开日期 | 2018-11-13 |
| 申请日期 | 2018-06-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92269]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵慧慧,徐现刚,开北超,等. 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法. CN108808446A. 2018-11-13. |
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