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| 蓝宝石衬底上Fe掺杂AlGaNGaN HEMT材料激光剥离研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 胡皓月
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| 蓝宝石衬底上AlGaN_GaN二维电子气结构的剥离研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 郭芬
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| 基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法 专利
专利号: CN110391583A, 申请日期: 2019-10-29, 公开日期: 2019-10-29
作者: 张多多; 刘小峰; 邱建荣
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| 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 专利
专利号: CN110265864A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种垂直外腔面发射半导体激光器 专利
专利号: CN110112653A, 申请日期: 2019-08-09, 公开日期: 2019-08-09
作者: 李林; 曾丽娜; 李再金; 乔忠良; 赵志斌
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| 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
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| 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 专利
专利号: CN209029404U, 申请日期: 2019-06-25, 公开日期: 2019-06-25
作者: 陈辰; 宋杰; 崔周源
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法 专利
专利号: CN107404066B, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者: 张保平; 梅洋; 许荣彬; 应磊莹; 郑志威
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| 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法 专利
专利号: CN107404066B, 申请日期: 2019-06-04, 公开日期: 2019-06-04
作者: 张保平; 梅洋; 许荣彬; 应磊莹; 郑志威
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| CH_3NH_3PbCl_3/ZnO紫外探测器的设计制备及其界面效应的研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 杨佳霖
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