| 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 | |
| 陈辰; 宋杰; 崔周源 | |
| 2019-06-25 | |
| 著作权人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 专利号 | CN209029404U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层 |
| 英文摘要 | 本公开涉及一种具有(20‑2‑1)面的半极性氮化镓的外延层，包括：第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层，其中第一半极性氮化镓外延层生长于图案化蓝宝石衬底上，而第二半极性氮化镓外延层采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长在第一半极性氮化镓外延层的背向图案化蓝宝石衬底的表面上，第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层背向图案化蓝宝石衬底的一面都具有(20‑21)取向；以及第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的通过化学‑机械抛光法(CMP)进行平坦化处理的表面具有(20‑2‑1)取向。 |
| 公开日期 | 2019-06-25 |
| 申请日期 | 2018-12-04 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49414]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈辰,宋杰,崔周源. 具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层. CN209029404U. 2019-06-25. |
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