| 基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法 | |
| 张多多; 刘小峰; 邱建荣 | |
| 2019-10-29 | |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 专利号 | CN110391583A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法。可饱和吸收体主要由基片、非化学计量比过渡金属氧化物层和表面层组成；可饱和吸收体包括透过型和反射型两种类型。其中基片包括蓝宝石、石英玻璃等无机透明衬底以及其上的镀膜；过渡金属氧化物包括TiO2‑x、VO2‑x、ZrO2‑x、Nb2O5‑x等；因所用材料的不同，工作波段可以覆盖可见到中红外波段。本发明提供了一种全新的用于各类脉冲激光器的可饱和吸收体及制备方法，具有制备方法简单、成本低、激光损伤阈值高等特点，可广泛用于固体激光器，光纤激光器以及半导体激光器等各类激光器，用以产生最短可达百飞秒的激光脉冲。 |
| 公开日期 | 2019-10-29 |
| 申请日期 | 2019-07-03 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57242]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张多多,刘小峰,邱建荣. 基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法. CN110391583A. 2019-10-29. |
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