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Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48
作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an
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AB INITIO INVESTIGATIONS OF THE MAGNETISM IN DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR Fe-DOPED GaN 期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2014, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 1450031
作者:  Cheng, J;  Zhou, J;  徐伟; Xu, W;  Dong, P
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/04/08
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 57802
作者:  Zhao, DG;  Zhang, S;  Liu, WB;  Hao, XP;  Jiang, DS
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29
External electric field effect on the hydrogenic donor impurity in zinc-blende GaN/AlGaN cylindrical quantum dot 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 5, 页码: 53710-53710
Jiang, LM; Wang, HL; Wu, HT; Gong, Q; Feng, SL
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2011/11/03
Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate 期刊论文
CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642
Li,H; Sang,JP; Liu,C; Lu,HB; Cao,JC
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/12/17
Hot-electron dynamics and terahertz generation in GaN quantum wells in the streaming transport regime 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: 195326-195326
Lu,JT; Cao,JC; Feng,SL
收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2011/12/17
Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance of a Si modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2247-2251
作者:  Chu, JH;  Yao, W;  Qiu, ZJ;  Gui, YS;  Zheng, ZW
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/08/30
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation 期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2005, 卷号: 29, 页码: #REF!
作者:  Chen, J;  Wang, JF;  Zhang, JC;  Wang, H;  Huang, Y
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/04/11
Photoelectron diffraction study on the polarity of GaN surface 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 1171-1176
作者:  Xu, PS;  Deng, R;  Pan, HB;  Xu, FQ;  Xie, CK
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/29
Studies on electronic structure of GaN(0001) surface 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2002, 卷号: 51, 期号: 11, 页码: 2606-2611
作者:  Xie, CK;  Xu, FQ;  Deng, R;  Xu, PS;  Liu, FQ
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