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Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG
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Electropolymerized poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) film on ITO glass and its application in photovoltaic device 期刊论文
solar energy materials and solar cells, 94 (2): feb 2010, 2010, 卷号: 94, 期号: 2, 页码: 390-394
Yan J (Yan Jun); Sun CH (Sun Chenghua); Tan; FR (Tan Furui); Hu XJ (Hu Xiujie); Chen P (Chen Ping); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou SY (Zhou Shuyun); Xu JK (Xu Jingkun)
收藏  |  浏览/下载：129/28  |  提交时间：2010/04/13
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films 期刊论文
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/12/28
Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001) 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 056801
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Tan HR
收藏  |  浏览/下载：368/49  |  提交时间：2010/03/08
Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47
作者:  Jin P;  Xu B
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/04/11
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate 期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:  Zhang SM
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The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98
Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12
Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253
作者:  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12
X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H
收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2010/08/12

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