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A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文
Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69
作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/09
Comparison of single-event transients of t-gate core and io device in 130nm partially depleted silicon-on-insulator technology 期刊论文
Ieice electronics express, 2016, 卷号: 13, 期号: 12, 页码: 11
作者:  Zheng Yunlong;  Dai Ruofan;  Chen Zhuojun;  Sun Shulong;  Wang Zheng
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/09
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李士颜
收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2016/06/02
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  余德昭
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2016/09/27
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:  余德昭
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/27
基于栅极信号的功率器件老化特征分析 期刊论文
2016, 2016
李硕; 王红; 杨士元; LI Shuo; WANG Hong; YANG ShiYuan
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基于压缩感知的实时心电信号压缩算法 期刊论文
2016, 2016
屈信超; 张跃; QU Xin-chao; ZHANG Yue
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Analysis of series SiC MOSFETs stack using a single standard gate driver 会议论文
作者:  Ren, Yu;  Yang, Xu
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02
Compact Analytical Threshold Voltage Model of Strained Gate-All-Around MOSFET Fabricated on Si1-xGex Virtual Substrate 期刊论文
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, 2016, 卷号: E99C, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 302-307
作者:  Zhang, Yefei;  Li, Zunchao;  Wang, Chuang;  Liang, Feng
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02
Analysis of A Low-Inductance Packaging Layout for Full-SiC Power Module Embedding Split Damping 会议论文
作者:  Ren, Yu;  Yang, Xu;  Zhang, Fan;  Tan, Linlin;  Zeng, Xiangjun
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02

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